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HY29F040P-150E

更新时间: 2024-11-06 14:42:39
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 545K
描述
Flash, 512KX8, 150ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32

HY29F040P-150E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:PLASTIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.58
Is Samacsys:N最长访问时间:150 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T32长度:42.037 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.826 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

HY29F040P-150E 数据手册

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