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HX6156LSGT

更新时间： 2024-11-30 15:34:23

品牌	Logo	应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	689K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CDFP24, 0.540 X 0.600 INCH, CERAMIC, FP-24

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HX6156LSGT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP, FL24,.5	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.12
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CDFP-F24	JESD-609代码：	e0
长度：	15.24 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	256KX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL24,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535V;38534K;883S	座面最大高度：	4.191 mm
最大待机电流：	0.0005 A	最小待机电流：	2.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	500k Rad(Si) V
宽度：	13.716 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HX6156NEFC	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CDFP28, 0.500 X 0.720 INCH, CERAMIC, FP-28
HX6156-QFC	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, DIE
HX6156-QFT	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, DIE
HX6156-QGC	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, DIE
HX6156-QHT	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, DIE
HX6156-SFC	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, DIE
HX6156-SGC	HONEYWELL	获取价格	IC 256K X 1 STANDARD SRAM, 25 ns, UUC, DIE, Static RAM
HX6156-SGT	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, DIE
HX6156-SHC	HONEYWELL	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, DIE
HX6156-VFC	HONEYWELL	获取价格	IC 256K X 1 STANDARD SRAM, 25 ns, UUC, DIE, Static RAM