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HUF75345S3ST

更新时间： 2024-11-28 21:53:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
10页 287K
描述
75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

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HUF75345S3ST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263AB, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.2
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：325 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

HUF75345S3ST 数据手册

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HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S  
Data Sheet  
March 2005  
75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET  
Power MOSFETs  
Features  
• 75A, 55V  
These N-Channel power MOSFETs  
are manufactured using the  
innovative UltraFET® process. This  
• Simulation Models  
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™  
Models  
advanced process technology  
- Thermal Impedance SPICE and SABER Models  
Available on the WEB at: www.fairchildsemi.com  
achieves the lowest possible on-resistance per silicon area,  
resulting in outstanding performance. This device is capable  
of withstanding high energy in the avalanche mode and the  
diode exhibits very low reverse recovery time and stored  
charge. It was designed for use in applications where power  
efficiency is important, such as switching regulators,  
switching converters, motor drivers, relay drivers, low-  
voltage bus switches, and power management in portable  
and battery-operated products.  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
• Related Literature  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Symbol  
Formerly developmental type TA75345.  
D
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
75345G  
G
HUF75345G3  
TO-247  
HUF75345P3  
TO-220AB  
TO-263AB  
75345P  
75345S  
S
HUF75345S3S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix T to  
obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g., HUF75345S3ST.  
Packaging  
JEDEC STYLE TO-247  
JEDEC TO-220AB  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
DRAIN  
(FLANGE)  
DRAIN  
(TAB)  
JEDEC TO-263AB  
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
Product reliability information can be found at http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html  
For severe environments, see our Automotive HUFA series.  
All Fairchild semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems certification.  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S Rev. B1  
1234567...10

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HUF75345S3ST 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HUF75345S3S FAIRCHILD

类似代替

 75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
BUK9608-55B,118 NXP

功能相似

 N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

与HUF75345S3ST相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HUF75345S3ST_NL FAIRCHILD

获取价格

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HUF75531SK8 INTERSIL

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 		6A, 80V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
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 		6A, 80V, 0.03ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SO-8
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HUF75542P3 FAIRCHILD

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 		75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
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 		75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
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 		N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，80V，75A，14mΩ
HUF75542S3S FAIRCHILD

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 		75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs

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