生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.52 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-34 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最大输出电流: | 0.15 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
最大功率耗散: | 0.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大反向恢复时间: | 0.1 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HSS82TE | RENESAS |
获取价格 |
0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 | |
HSS83 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching | |
HSS83 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching | |
HSS83-E | RENESAS |
获取价格 |
0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, GLASS, MHD, 2 PIN | |
HSS83RX | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 | |
HSS83TA | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 | |
HSS83TA-E | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 | |
HSS83TD | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34 | |
HSS83TDX | RENESAS |
获取价格 |
0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 | |
HSS-B20-01 | CUI |
获取价格 |
slide in style for easy component attachment |