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HSK1118

更新时间： 2024-01-07 22:58:02
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HSMC /
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
Silicon N Channel MOS Type

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HSK1118 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

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Spec. No. : Preliminary Data  
Issued Date : 1998.02.01  
Revised Date : 1999.08.01  
Page No. : 2/5  
HI-SINCERITY  
MICROELECTRONICS CORP.  
(Ta=25°C)  
Characteristics  
Characteristics  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Test Conditions  
ID=250uA  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
Drain Cut-Off Current  
V(BR)DSS 600  
-
-
-
-
-
-
-
4
V
V
VGS(th)  
IDSS  
2
-
VDS=10V, ID=1mA  
25  
±100  
6
uA VDS=600V  
Gate Leakage Current  
IGSS  
-
nA  
V
VGS=±25V  
Drain-Source On Voltage  
On-State Drain Current  
Drain-Source ON Resistance  
Input Capacitance  
VDS(ON)  
ID(ON)  
RDS(ON)  
Ciss  
Crss  
Coss  
Tr  
-
ID=5.0A, VG=10V  
VDS=10V, VGS=10V  
VGS=10V, ID=3A  
9
-
-
A
0.95 1.25  
Ω
-
2000  
500  
740  
50  
-
-
-
-
-
-
-
pF  
pF  
pF  
VDS=10V ,VGS=0V  
f =1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
-
-
-
VIN : Tr, Tf<5nS  
VDD=300V, ID=3A  
VGS=10V  
Ton  
-
80  
Switching Time  
nS  
Tf  
-
40  
Duty≤1%, tw=10uS  
Toff  
-
170  
Total Gate Charge  
(Gate-Source Plus Gate-Drain)  
Qg  
-
60  
-
nC  
ID=6A  
VDS=400V  
VGS=10V  
Gate-Source Charge  
Qgs  
Qgd  
-
-
30  
30  
-
-
nC  
nC  
Gate-Drain Charge (Miller)  
Characteristics Curve  
On-Region Characteristic  
On-Region Characteristic  
5
10  
8
10V  
GS  
V
=10V  
6V  
5.5V  
GS  
V
=6V  
5V  
5.5V  
4
3
2
1
0
6
5V  
4
4.5V  
4.5V  
4V  
2
4V  
0
0
20  
40  
DS  
,Drain-Source Voltage (V)  
60  
80  
100  
0
2
4
6
8
10  
DS  
V
, Drain-Source Voltage (V)  
V
HSMC Product Specification  
12345

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