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HSK83

更新时间: 2024-01-18 00:59:46
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日立 - HITACHI 二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
5页 27K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching

HSK83 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.73
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.1 µs表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

HSK83 数据手册

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HSK83  
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching  
ADE-208-169C(Z)  
Rev 3  
Dec. 1998  
Features  
High reverse voltage. (VR=250V)  
LLD package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly  
Ordering Information  
Type No.  
Cathode band  
White  
2nd band  
Package Code  
LLD  
HSK83  
Verdure  
Outline  
Cathode band  
1
1
2
2
2nd. band  
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
2nd. band  

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