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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-CALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL |
| 应用： | HIGH VOLTAGE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 8 V |
| JESD-30 代码： | O-CALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 140 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 1.5 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 8000 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSKE3500/1550-2 | SEMIKRON |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2.9A, 8000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEAL |
|
| HSKE5000/2200-0.25 | SEMIKRON |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.35A, 12000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CER |
|
| HSKE5000/2200-0.5 | SEMIKRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.6A, 12000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERA |
|
| HSKE7500/3300-0.4 | SEMIKRON |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.55A, 16000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CER |
|
| HSKE7500/3300-1.2 | SEMIKRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.35A, 16000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SE |
|
| HSL226 | RENESAS |
获取价格 |
SILICON DIODE |
|
| HSL226_07 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching |
|
| HSL226-E | RENESAS |
获取价格 |
0.05A, 25V, SILICON, SIGNAL DIODE, EFP-2 |
|
| HSL226-N | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching |
|
| HSL276A | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector |
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