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HSL226

更新时间: 2024-01-11 08:29:01
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瑞萨 - RENESAS 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
SILICON DIODE

HSL226 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.74配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.33 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:0.2 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.05 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:25 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

HSL226 数据手册

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HSL226  
シリコンショットキバリア形ダイオ-ド  
高速スイッチング用  
RJJ03G0011-0100Z  
Rev.1.00  
2003.04.15  
特長  
低逆電流,低端子間容量のショットキバリアダイオ-ドです。  
超々小形レジン外形 (1006 フラットタイプ;レジンモルド部寸法は0806) のため面装着に対応でき又、  
小形設計及び高密度実装が可能です。  
型名表示  
製品名  
レ-ザマ-ク  
パッケージコード  
HSL226  
V
EFP  
ピン配置  
ࡑ࠼࡯࠰
㧙ࠢ  
ᒻฬ⴫␜  
1
2
1.
࠼࡯࠰
 
2. 
࠼࡯ࡁࠕ
 
Rev.1.00, 2003.04.15, page 1 of 5  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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