5秒后页面跳转
HSKE7500/3300-0.4 PDF预览

HSKE7500/3300-0.4

更新时间: 2024-11-05 18:52:39
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 152K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 0.55A, 16000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, CASE F2, 2 PIN

HSKE7500/3300-0.4 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-CALF-X2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84其他特性:LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):16 VJESD-30 代码:O-CALF-X2
最大非重复峰值正向电流:60 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:0.55 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:16000 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

HSKE7500/3300-0.4 数据手册

 浏览型号HSKE7500/3300-0.4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSKE7500/3300-0.4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSKE7500/3300-0.4的Datasheet PDF文件第4页 

与HSKE7500/3300-0.4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HSKE7500/3300-1.2 SEMIKRON

获取价格

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.35A, 16000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SE
HSL226 RENESAS

获取价格

SILICON DIODE
HSL226_07 RENESAS

获取价格

Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
HSL226-E RENESAS

获取价格

0.05A, 25V, SILICON, SIGNAL DIODE, EFP-2
HSL226-N RENESAS

获取价格

Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
HSL276A RENESAS

获取价格

Silicon Schottky Barrier Diode for Detector
HSL278 RENESAS

获取价格

Silicon Schottky Barrier Diode for Detector
HSL285 RENESAS

获取价格

Silicon Schottky Barrier Diode for Detector
HSL-AO4-U ETC

获取价格

4-CH Analog Output Module
HSLCS-CALBL-021 AAVID

获取价格

ROUND HEAT SINK DOWNLIGHT MODULE