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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.53 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.003 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HSK120TR | HITACHI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon |
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| HSK120TR | RENESAS | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HSK120TR-E | RENESAS | 0.15A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| HSK122 | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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| HSK122 | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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| HSK122TL | HITACHI | 暂无描述 |
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