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HSK122

更新时间: 2024-01-03 00:37:51
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 整流二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
6页 29K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching

HSK122 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.57
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:10 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

HSK122 数据手册

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HSK122  
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching  
ADE-208-172B (Z)  
Rev. 2  
Aug. 1995  
Features  
High reverse voltage. (VR = 400V)  
LLD package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Cathode band  
Orange  
Package Code  
HSK122  
LLD  
Outline  
Cathode band  
1
1
2
Cathode band  
2
1. Cathode  
2. Anode  

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