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HSK122

更新时间: 2024-01-20 18:02:58
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日立 - HITACHI 整流二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
6页 29K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching

HSK122 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.57
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:10 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

HSK122 数据手册

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HSK122  
1.0  
10–1  
10–2  
10–3  
0.6  
Forward voltage VF (V)  
0
0.2  
0.4  
0.8  
1.0 1.2  
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage  
10–6  
Ta = 125°C  
10–7  
Ta = 75°C  
10–8  
Ta = 25°C  
10-9  
–10  
10  
Ta = –25°C  
–11  
10  
300  
Reverse voltage VR (V)  
0
100  
200  
400  
500  
Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage  
3

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