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HSCH-5511

更新时间： 2024-11-11 20:56:23

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安捷伦 - AGILENT		脉冲二极管
页数	文件大小	规格书
6页	71K
描述
Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon

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HSCH-5511 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-MTMW-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.35	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	0.1 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.5 V
频带：	K BAND	JESD-30 代码：	R-MTMW-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROWAVE	脉冲输入最大功率：	0.15 W
脉冲输入功率最小值：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	TRIPLE
肖特基势垒类型：	MEDIUM BARRIER	Base Number Matches：	1

HSCH-5511 数据手册

Beam Lead Schottky Diode

Pairs for Mixers and Detectors

Technical Data

HSCH-5500 Series

Features

• Monolithic Pair

Closely Matched Electrical

Parameters

Outline 04B

540 (21.0)

480 (19.0)

220 (9.0)

180 (7.0)

220 (9.0)

180 (6.0)

• Low Capacitance

CATHODE

0.1 pF Maximum at 0 Volts

120 (5.0)

90 (3.5)

250 (10.0)

200 (8.0)

• Low Noise Figure

Typical 7.5 dB at 26 GHz

GOLD

BEAMS

• Rugged Construction

190 (7.0)

160 (6.0)

GLASS

4 Grams Minimum Lead Pull

• Platinum Tri-Metal System

12 (0.5)

8 (0.3)

High Temperature Stability

• Polyimide Scratch Protection

• Silicon Nitride Passivation

Stable, Reliable Performance

GLASS

60 (2.4)

40 (1.5)

PLATINUM

METALLIZATION

Description

CATHODE

ANODE

These dual beam lead diodes are

constructed using a metal-

semiconductor Schottky barrier

junction. Advanced epitaxial

techniques and precise process

control insure uniformity and

repeatability of this planar

COMMON

DIMENSIONS IN µm (1/1000 inch)

Maximum Ratings ( for Each Diode)

Pulse Power Incident at T_A= 25°C ..........................................................1 W

passivated microwave semicon-

ductor. A nitride passivation layer

provides immunity from

Pulse Width = 1 µs, Du = 0.001

CW Power Dissipation at T_A= 25°C ................................................ 150 mW

Measured in an infinite heat sink derated linearly

contaminants which could

otherwise lead to I_Rdrift.

to zero at maximum rated temperature

T_OPR– Operating Temperature Range ...............................-65°C to +175 °C

T_STG– Storage Temperature Range ....................................-65°C to +200°C

Minimum Lead Strength ........................................ 4 grams pull on any lead

Diode Mounting Temperature ................................. 350°C for 10 sec. max.

The Agilent beam lead process

allows for large beam anchor pads

for rugged construction (typical 6

gram pull strength) without

degrading capacitance.

These diodes are ESD sensitive. Handle with care to avoid static

discharge through the diode.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSCH-5512	AGILENT	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5512	AVAGO	获取价格	Beam Lead Schottky Diode Pairs for Mixers and Detectors
HSCH-5514	AVAGO	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5514	AGILENT	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5516	AVAGO	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5516	AGILENT	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5518	AVAGO	获取价格	SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE
HSCH-5518	AGILENT	获取价格	SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE
HSCH-5520	AVAGO	获取价格	SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE
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