HSCH-5341

更新时间： 2024-11-11 03:42:51

品牌	Logo	应用领域
安捷伦 - AGILENT		肖特基二极管微波混频二极管脉冲
页数	文件大小	规格书
6页	76K
描述
Beam Lead Schottky Diodes for Mixers and Detectors (1 - 26 GHz)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HSCH-5341 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-LDMW-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.1 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	L BAND TO K BAND	最大阻抗：	350 Ω
最小阻抗：	150 Ω	JESD-30 代码：	R-LDMW-F2
JESD-609代码：	e0	最大噪声指数：	7.5 dB
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROWAVE
脉冲输入最大功率：	0.15 W	脉冲输入功率最小值：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Microwave Mixer Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	肖特基势垒类型：	LOW BARRIER
Base Number Matches：	1

HSCH-5341 数据手册

Beam Lead Schottky Diodes for

Mixers and Detectors

( 1– 26 GHz)

Technical Data

HSCH-5300 Series

Features

Outline 07

• Platinum Tri-Metal System

CATHODE

GOLD LEADS

High Temperature Stability

130 (5)

100 (4)

• Silicon Nitride Passivation

Stable, Reliable Performance

135 (5)

90 (3)

• Low Noise Figure

Guaranteed 7.5 dB at 26 GHz

135 (5)

90 (3)

• High Uniformity

Tightly Controlled Process

Insures Uniform RF

Characteristics

225 (9)

200 (8)

310 (12)

250 (10)

225 (9)

170 (7)

• Rugged Construction

4 Grams Minimum Lead Pull

12 (.5)

8 (.3)

• Low Capacitance

30 MIN (1)

0.10 pF Max. at 0 V

• Polyimide Scratch Protection

SILICON

GLASS

710 (28)

670 (26)

60 (2)

40 (1)

Description

These beam lead diodes are

constructed using a metal-

semiconductor Schottky barrier

junction. Advanced epitaxial

techniques and precise process

control insure uniformity and

repeatability of this planar

passivated microwave semicon-

ductor. A nitride passivation layer

provides immunity from

DIMENSIONS IN µm (1/1000 inch)

Maximum Ratings

Pulse Power Incident at T_A= 25°C ..........................................................1 W

Pulse Width = 1 µs, Du = 0.001

CW Power Dissipation at T_A= 25°C ................................................ 150 mW

Measured in an infinite heat sink derated linearly

to zero at maximum rated temperature

contaminants which could

otherwise lead to I_Rdrift.

T_OPR– Operating Temperature Range ...............................-65°C to +175 °C

T_STG– Storage Temperature Range ....................................-65°C to +200°C

Minimum Lead Strength ........................................ 4 grams pull on any lead

Diode Mounting Temperature ............................... +350°C for 10 sec. max.

The Agilent beam lead process

allows for large beam anchor pads

for rugged construction (typical

6 gram pull strength) without

degrading capacitance.

These diodes are ESD sensitive. Handle with care to avoid static

discharge through the diode.

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与HSCH-5341相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSCH-5500SERIES	ETC	获取价格	Beam Lead Schottky Diode Pairs for Mixers and Detectors (102K in pdf)
HSCH-5510	AVAGO	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5510	AGILENT	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5511	AVAGO	获取价格	SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY,K BAND, MIXER DIODE
HSCH-5511	AGILENT	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5512	AGILENT	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5512	AVAGO	获取价格	Beam Lead Schottky Diode Pairs for Mixers and Detectors
HSCH-5514	AVAGO	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5514	AGILENT	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon
HSCH-5516	AVAGO	获取价格	Mixer Diode, Medium Barrier, K Band, Silicon

与HSCH-5341相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HSCH-5341

HSCH-5341 技术参数

HSCH-5341 数据手册

与HSCH-5341相关器件

与HSCH-5341相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HSCH-5341

HSCH-5341 技术参数

HSCH-5341 数据手册

与HSCH-5341相关器件

与HSCH-5341相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？