HSCH-5333

更新时间： 2024-11-11 03:42:51

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安捷伦 - AGILENT		肖特基二极管微波混频二极管脉冲
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Beam Lead Schottky Diodes for Mixers and Detectors (1 - 26 GHz)

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HSCH-5333 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-LDMW-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	0.15 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
频带：	L BAND TO K BAND	JESD-30 代码：	R-LDMW-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROWAVE	脉冲输入最大功率：	0.15 W
脉冲输入功率最小值：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Microwave Mixer Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
肖特基势垒类型：	LOW BARRIER	Base Number Matches：	1

HSCH-5333 数据手册

Beam Lead Schottky Diodes for

Mixers and Detectors

( 1– 26 GHz)

Technical Data

HSCH-5300 Series

Features

Outline 07

• Platinum Tri-Metal System

CATHODE

GOLD LEADS

High Temperature Stability

130 (5)

100 (4)

• Silicon Nitride Passivation

Stable, Reliable Performance

135 (5)

90 (3)

• Low Noise Figure

Guaranteed 7.5 dB at 26 GHz

135 (5)

90 (3)

• High Uniformity

Tightly Controlled Process

Insures Uniform RF

Characteristics

225 (9)

200 (8)

310 (12)

250 (10)

225 (9)

170 (7)

• Rugged Construction

4 Grams Minimum Lead Pull

12 (.5)

8 (.3)

• Low Capacitance

30 MIN (1)

0.10 pF Max. at 0 V

• Polyimide Scratch Protection

SILICON

GLASS

710 (28)

670 (26)

60 (2)

40 (1)

Description

These beam lead diodes are

constructed using a metal-

semiconductor Schottky barrier

junction. Advanced epitaxial

techniques and precise process

control insure uniformity and

repeatability of this planar

passivated microwave semicon-

ductor. A nitride passivation layer

provides immunity from

DIMENSIONS IN µm (1/1000 inch)

Maximum Ratings

Pulse Power Incident at T_A= 25°C ..........................................................1 W

Pulse Width = 1 µs, Du = 0.001

CW Power Dissipation at T_A= 25°C ................................................ 150 mW

Measured in an infinite heat sink derated linearly

to zero at maximum rated temperature

contaminants which could

otherwise lead to I_Rdrift.

T_OPR– Operating Temperature Range ...............................-65°C to +175 °C

T_STG– Storage Temperature Range ....................................-65°C to +200°C

Minimum Lead Strength ........................................ 4 grams pull on any lead

Diode Mounting Temperature ............................... +350°C for 10 sec. max.

The Agilent beam lead process

allows for large beam anchor pads

for rugged construction (typical

6 gram pull strength) without

degrading capacitance.

These diodes are ESD sensitive. Handle with care to avoid static

discharge through the diode.

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