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HS9-65647RH-Q

更新时间： 2024-01-10 06:51:53
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 113K
描述
Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM

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HS9-65647RH-Q 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFP包装说明：DFP, FL28,.4
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.88Is Samacsys：N
最长访问时间：50 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-CDFP-F28JESD-609代码：e0
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：8KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装等效代码：FL28,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：2.92 mm最大待机电流：0.002 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
总剂量：300k Rad(Si) V宽度：12.445 mm
Base Number Matches：1

HS9-65647RH-Q 数据手册

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HS-65647RH  
Radiation Hardened  
8K x 8 SOS CMOS Static RAM  
August 1995  
Features  
Functional Diagram  
• 1.2 Micron Radiation Hardened SOS CMOS  
- Total Dose 3 x 105 RAD (Si)  
- Transient Upset >1 x 1011 RAD (Si)/s  
- Single Event Upset < 1 x 10-12 Errors/Bit-Day  
• Latch-up Free  
AI  
ROW  
DECODER  
128 X 512  
MEMORY ARRAY  
ROW  
I/O0  
• LET Threshold >250 MEV/mg/cm2  
• Low Standby Supply Current 10mA (Max)  
• Low Operating Supply Current 100mA (2MHz)  
• Fast Access Time 50ns (Max), 35ns (Typ)  
• High Output Drive Capability  
INPUT  
DATA  
CIRCUIT  
COLUMN I/O  
COLUMN DECODER  
I/O7  
AI COL  
E2  
• Gated Input Buffers (Gated by E2)  
• Six Transistor Memory Cell  
E1  
G
CONTROL  
CIRCUIT  
• Fully Static Design  
W
• Asynchronous Operation  
• CMOS Inputs  
• 5V Single Power Supply  
• Military Temperature Range -55oC to +125oC  
TRUTH TABLE  
E1  
X
1
E2  
G
X
X
1
W
X
X
1
MODE  
Low Power Standby  
Disabled  
• Industry Standard JEDEC Pinout  
0
1
1
1
1
Description  
The Intersil HS-65647RH is a fully asynchronous 8K x 8  
radiation hardened static RAM. This RAM is fabricated using  
the Intersil 1.2 micron silicon-on-sapphire CMOS technology.  
This technology gives exceptional hardness to all types of  
radiation, including neutron fluence, total ionizing dose, high  
intensity ionizing dose rates, and cosmic rays.  
0
Enabled  
0
0
1
Read  
0
X
0
Write  
Low power operation is provided by a fully static design. Low  
standby power can be achieved without pull-up resistors,  
due to the gated input buffer design.  
Ordering Information  
PART NUMBER  
HS1-65647RH-Q  
TEMPERATURE RANGE  
PACKAGE  
o
o
-55 C to +125 C  
28 Lead SBDIP  
28 Lead SBDIP  
28 Lead SBDIP  
28 Lead SBDIP  
o
o
HS1-65647RH-8  
-55 C to +125 C  
o
o
HS1-65647RH/Proto  
HS1-65647RH/Sample  
HS9-65647RH-Q  
-55 C to +125 C  
o
+25 C  
o
o
-55 C to +125 C  
28 Lead Ceramic Flatpack  
28 Lead Ceramic Flatpack  
28 Lead Ceramic Flatpack  
28 Lead Ceramic Flatpack  
36 Lead Ceramic Flatpack  
o
o
HS9-65647RH-8  
-55 C to +125 C  
o
o
HS9-65647RH/Proto  
HS9-65647RH/Sample  
HS9A-65647RH-Q  
-55 C to +125 C  
o
+25 C  
o
o
-55 C to +125 C  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
Spec Number 518729  
File Number 2928.2  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999824  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HS9-65C262RH-Q RENESAS

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 		HS9-65C262RH-Q
HS9-65C262RRH RENESAS

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 		16KX1 STANDARD SRAM, 145ns, CDFP24
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