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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DFP, FL24,.4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-XDFP-F24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DFP | 封装等效代码： | FL24,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535V;38534K;883S |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.0416 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 总剂量： | 200k Rad(Si) V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HS9-65C262RRH | RENESAS |
获取价格 |
16KX1 STANDARD SRAM, 145ns, CDFP24 |
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| HS9-65C262RRH-8 | RENESAS |
获取价格 |
HS9-65C262RRH-8 |
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| HS9-65T262RH-8 | RENESAS |
获取价格 |
HS9-65T262RH-8 |
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| HS9-65T262RH-Q | RENESAS |
获取价格 |
HS9-65T262RH-Q |
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| HS9-65T262RRH | RENESAS |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 145ns, CMOS, CDFP24 |
|
| HS9-6617RH | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM |
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| HS9-6617RH/PROTO | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM |
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| HS9-6617RH/SAMPLE | RENESAS |
获取价格 |
2KX8 OTPROM, 120ns, CDFP24, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-24 |
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| HS9-6617RH-8 | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM |
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| HS9-6617RH-Q | INTERSIL |
获取价格 |
Radiation Hardened 2K x 8 CMOS PROM |
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