是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.2 |
Is Samacsys: | N | JESD-30 代码: | R-CDFP-F28 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | OTP ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.92 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 总剂量: | 300k Rad(Si) V |
宽度: | 12.445 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HS9-6664RH-8 | INTERSIL |
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Radiation Hardened 8kx8 CMOS PROM |
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HS9-6664RH-8 | RENESAS |
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8KX8 OTPROM, CDFP28, CERAMIC, DFP-28 |
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HS9-6664RH-Q | INTERSIL |
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Radiation Hardened 8kx8 CMOS PROM |
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HS9-6664RH-Q | RENESAS |
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8KX8 OTPROM, CDFP28, CERAMIC, DFP-28 |
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HS9-6664RH-T | INTERSIL |
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Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM |
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HS9704B | ETC |
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Sample/Track-and-Hold Amplifier |
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HS9704C | ETC |
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Sample/Track-and-Hold Amplifier |
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HS9705B | ETC |
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Sample/Track-and-Hold Amplifier |
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HS9705C | ETC |
获取价格 |
Sample/Track-and-Hold Amplifier |
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HS9-705RH-Q | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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