Datasheet > HN58V66AFP-10

HN58V66AFP-10

更新时间： 2024-01-30 12:38:17

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
27页	127K
描述
64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HN58V66AFP-10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.45	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	18.3 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP28,.45
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.5 mm
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8.4 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

HN58V66AFP-10 数据手册

HN58V65A Series

HN58V66A Series

64 k EEPROM (8-kword × 8-bit)

Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)

ADE-203-539B (Z)

Rev. 2.0

Nov. 1997

Description

The Hitachi HN58V65A series and HN58V66A series are a electrically erasable and programmable

EEPROM’s organized as 8192-word × 8-bit. They have realized high speed, low power consumption

and high relisbility by employing advanced MNOS memory technology and CMOS process and

circuitry technology. They also have a 64-byte page programming function to make their write

operations faster.

Features

•

Single supply: 2.7 to 5.5 V

Access time:

100 ns (max) at 2.7 V ≤ V_CC< 4.5 V

70 ns (max) at 4.5 V ≤ V_CC≤ 5.5 V

Power dissipation:

•

Active: 20 mW/MHz (typ)

Standby: 110 µW (max)

•

On-chip latches: address, data, CE, OE, WE

Automatic byte write: 10 ms (max)

Automatic page write (64 bytes): 10 ms (max)

Ready/Busy

Data polling and Toggle bit

Data protection circuit on power on/off

Conforms to JEDEC byte-wide standard

Reliable CMOS with MNOS cell technology

12 3 4 5 6 7...27

下载PDF

与HN58V66AFP-10相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HN58V66AFP-10E	RENESAS	64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func	获取价格
HN58V66AFPI-10	RENESAS	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature	获取价格
HN58V66AFPI-10E	RENESAS	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature	获取价格
HN58V66AI	RENESAS	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature	获取价格
HN58V66AISERIES	ETC	x8 EEPROM	获取价格
HN58V66AP-10	HITACHI	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HN58V66AFP-10

HN58V66AFP-10 技术参数

HN58V66AFP-10 数据手册

与HN58V66AFP-10相关器件

与HN58V66AFP-10相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HN58V66AFP-10

HN58V66AFP-10 技术参数

HN58V66AFP-10 数据手册

与HN58V66AFP-10相关器件

与HN58V66AFP-10相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？