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HN58V66AFPI-10

更新时间： 2024-11-28 22:25:11

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瑞萨 - RENESAS		存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature Range version

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HN58V66AFPI-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.45	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	18.3 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP28,.45
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.5 mm
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	8.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

HN58V66AFPI-10 数据手册

HN58V65AI Series

HN58V66AI Series

HN58V65A-SR Series

HN58V66A-SR Series

64k EEPROM (8-kword × 8-bit)

Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)

Wide Temperature Range version

REJ03C0153-0300Z

(Previous ADE-203-759B(Z) Rev.2.0)

Rev. 3.00

Feb.02.2004

Description

Renesas Technology’s HN58V65A series and HN58V66A series are electrically erasable and

programmable EEPROM’s organized as 8192-word × 8-bit. They have realized high speed, low power

consumption and high reliability by employing advanced MNOS memory technology and CMOS process

and circuitry technology. They also have a 64-byte page programming function to make their write

operations faster.

Features

•

Single supply: 2.7 to 5.5 V

Access time:



100 ns (max) at 2.7 V ≤ V_CC< 4.5 V

70 ns (max) at 4.5 V ≤ V_CC≤ 5.5 V

•

Power dissipation:

 Active: 20 mW/MHz (typ)

 Standby: 110 µW (max)

•

On-chip latches: address, data, CE, OE, WE

Automatic byte write: 10 ms (max)

Automatic page write (64 bytes): 10 ms (max)

Ready/Busy

Data polling and Toggle bit

Data protection circuit on power on/off

Rev.3.00, Feb.02.2004, page 1 of 26

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HN58V66AISERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM
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HN58V66AP-10E	RENESAS	获取价格	64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func
HN58V66API-10	RENESAS	获取价格	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature
HN58V66API-10E	RENESAS	获取价格	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature
HN58V66ASERIES	ETC	获取价格	x8 EEPROM
HN58V66A-SR	RENESAS	获取价格	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature

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