Datasheet > HN58W241000FPI

HN58W241000FPI

更新时间： 2024-11-29 21:19:35

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	119K
描述
128KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.200 INCH, PLASTIC, SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HN58W241000FPI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	0.200 INCH, PLASTIC, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.63
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	5.65 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.73 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	5.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

HN58W241000FPI 数据手册

HN58W241000I

Two-wire serial interface

1M EEPROM (128-kword × 8-bit)

REJ03C0138-0100Z

(Previous ADE-203-1354 (Z) Rev. 0.0)

Rev. 1.00

Nov. 12, 2003

Description

HN58W241000I is the two-wire serial interface EEPROM (Electrically Erasable and Programmable

ROM). It realizes high speed, low power consumption and a high level of reliability by employing

advanced MNOS memory technology and CMOS process and low voltage circuitry technology. It also has

a 256-byte page programming function to make it’s write operation faster.

Note: Renesas Technology’s serial EEPROM are authorized for using consumer applications such as

cellular phone, camcorders, audio equipment. Therefore, please contact Renesas Technology’s

sales office before using industrial applications such as automotive systems, embedded controllers,

and meters.

Features

•

Single supply: 2.5 V to 3.6 V

Two-wire serial interface (I²C^TMserial bus*¹)

Clock frequency: 1 MHz

Power dissipation:

Standby: 1 µA (max)

Active (Read): 1 mA (max)

Active (Write): 4 mA (max)

Automatic page write: 256-byte/page

Write cycle time: 5.0 ms (max)

Endurance: 10⁵Cycles

•

Data retention: 10 Years

Small size packages: SOP-8pin (200 mil-wide)

Shipping tape and reel: 1,500 IC/reel

Temperature range: −40 to +85°C

There are also lead free products.

Note: 1. I²C is a trademark of Philips Corporation.

Rev.1.00, Nov. 12.2003, page 1 of 19

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与HN58W241000FPI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN58W241000FPIE	RENESAS	获取价格	Two-wire serial interface 1M EEPROM (128-kword x 8-bit)
HN58W241000I	RENESAS	获取价格	Two-wire serial interface 1M EEPROM (128-kword x 8-bit)
HN58W241000I_05	RENESAS	获取价格	Two-wire serial interface 1M EEPROM (128-kwor
HN58X2402	HITACHI	获取价格	Two-wire serial interface 2k / 4k / 8k / 16k / 32k / 64k EEPROM(8-kword x 8-bit)
HN58X2402FP	HITACHI	获取价格	Two-wire serial interface 2k / 4k / 8k / 16k / 32k / 64k EEPROM(8-kword x 8-bit)
HN58X2402FP	RENESAS	获取价格	I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
HN58X2402FPI	HITACHI	获取价格	暂无描述
HN58X2402FPI	RENESAS	获取价格	I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
HN58X2402FP-SR	HITACHI	获取价格	Two-wire serial interface 2k / 4k / 8k / 16k / 32k / 64k EEPROM
HN58X2402SFP	HITACHI	获取价格	EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8

与HN58W241000FPI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HN58W241000FPI

HN58W241000FPI 技术参数

HN58W241000FPI 数据手册

与HN58W241000FPI相关器件

与HN58W241000FPI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HN58W241000FPI

HN58W241000FPI 技术参数

HN58W241000FPI 数据手册

与HN58W241000FPI相关器件

与HN58W241000FPI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？