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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN2C01FUTE85N | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| HN2C01FUTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| HN2C01FUY | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
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| HN2C01FU-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, |
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| HN2C01FU-Y(TE85L,F | TOSHIBA |
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TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 |
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| HN2C01FUYTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| HN2C01FUYTE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| HN2C01FUYTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| HN2C10FT | TOSHIBA |
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VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| HN2C10FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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