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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 功耗环境最大值： | 0.3 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN1B01FGRTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| HN1B01FGRTE85N | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| HN1B01FTE85N | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| HN1B01FTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| HN1B01FU | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN1B01FU_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applica |
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| HN1B01FUGR | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TSOP |
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| HN1B01FU-GR | TOSHIBA |
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Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications |
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| HN1B01FUGRTE85N | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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| HN1B01FUGRTE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General |
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