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HMP351S6AFR8C-S6

更新时间： 2024-11-07 05:36:19

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海力士 - HYNIX		动态存储器双倍数据速率
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17页	290K
描述
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 2Gb version A

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HMP351S6AFR8C-S6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.81	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XZMA-N200	长度：	67.6 mm
内存密度：	34359738368 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	200
字数：	536870912 words	字数代码：	512000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	512MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM200,24
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.192 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.88 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.6 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
Base Number Matches：	1

HMP351S6AFR8C-S6 数据手册

200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 2Gb version A

This Hynix unbuffered Small Outline Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 2Gb version A DDR2

SDRAMs in Fine Ball Grid Array (FBGA) packages on a 200pin glass-epoxy substrate. This Hynix 2Gb version A based

Unbuffered DDR2 SO-DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 67.60mm width form factor of indus-

try standard. It is suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC standard Double Data Rate 2 Synchronous

DRAMs (DDR2 SDRAMs) with 1.8V +/- 0.1V Power

Supply

•

Programmable Burst Length 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

•

All inputs and outputs are compatible with SSTL_1.8

interface

Serial presence detect with EEPROM

DDR2 SDRAM Package: 60 ball(x4/8)

67.60 x 30.00 mm form factor

•

Posted CAS

Programmable CAS Latency 3,4,5, and 6

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment) and

ODT (On-Die Termination)

RoHS compliant & Halogen-free

•

Fully differential clock operations (CK & CK)

* This product is in compliance with the directive pertaining of RoHS.

ORDERING INFORMATION

# of

DRAMs

# of

ranks

Part Name

Density

Organization

Materials

HMP351S6AFR8C-Y5/S5/S6

4GB

512Mx64

Halogen free

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.0 / Dec. 2009

12 3 4 5 6 7...17

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