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HMC633LC4TR

更新时间： 2024-02-15 00:37:42

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频微波
页数	文件大小	规格书
8页	336K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,

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HMC633LC4TR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	LCC24,.16SQ,20
针数：	24	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.27	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	24
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC	封装等效代码：	LCC24,.16SQ,20
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	Base Number Matches：	1

HMC633LC4TR 数据手册

HMC633LC4

v03.0514

GaAs PHEMT MMIC DRIVER

AMPLIFIER, 5.5 - 17 GHz

Gain, Power & Output IP3

vs. Gate Voltage @ 11 GHz

Absolute Maximum Ratings

Drain Bias Voltage

+5.5V

210

180

150

120

(Vdd1, Vdd2, Vdd3, Vdd4)

Idd

Gate Bias Voltage (Vgg)

-3 to 0V

+5 dBm

175 °C

RF Input Power (RFIN)(Vdd = +5 Vdc)

Channel Temperature

Continuous Pdiss (T= 85 °C)

(derate 11.08 mW/°C above 85 °C)

0.99 W

Thermal Resistance

(channel to package bottom)

90.23 °C/W

Gain

P1dB

Psat

IP3

Storage Temperature

Operating Temperature

-65 to +150 °C

-40 to +85 °C

-0.8

-0.78

-0.76

-0.74

-0.72

-0.7

-0.68

Vgg (V)

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

Typical Supply Current vs. Vdd

Vdd (V)

4.5

Idd (mA)

177

180

182

5.0

5.5

Note: Ampliﬁer will operate over full voltage ranges shown above

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 2 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

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