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HM62W1400H PDF预览

HM62W1400H

更新时间： 2024-09-25 04:18:03
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日立 - HITACHI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 82K
描述
4M High Speed SRAM (4-Mword x1-bit)

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HM62W1400H 数据手册

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HM62W1400H Series  
4M High Speed SRAM (4-Mword × 1-bit)  
ADE-203-773E (Z)  
Rev. 2.0  
Nov. 11, 1998  
Description  
The HM62W1400H is a 4-Mbit high speed static RAM organized 4-Mword × 1-bit. It has realized high  
speed access time by employing CMOS process (4-transistor + 2-poly resistor memory cell)and high speed  
circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed and high  
density memory, such as cache and buffer memory in system. The HM62W1400H is packaged in 400-mil  
32-pin SOJ and 400-mil 32-pin TSOP II for high density surface mounting.  
Features  
•
•
•
Single 3.3 V supply : 3.3 V ± 0.3 V  
Access time 12/15 ns (max)  
Completely static memory  
No clock or timing strobe required  
Equal access and cycle times  
Directly TTL compatible  
•
•
All inputs and outputs  
•
•
•
Operating current: 180/160 mA (max)  
TTL standby current: 60/50 mA (max)  
CMOS standby current: 5 mA (max)  
: 1 mA (max) (L-version)  
•
•
•
Data retension current: 0.6 mA (max) (L-version)  
Data retension voltage: 2 V (min) (L-version)  
Center VCC and VSS type pinout  
1234567...14

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