生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 长度: | 20.45 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 11.3 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
K6T4008C1C-GP55 | SAMSUNG |
功能相似 |
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T4008C1C-GF55 | SAMSUNG |
功能相似 |
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T4008C1B-GF55 | SAMSUNG |
功能相似 |
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM628512CLFPI-7 | HITACHI |
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Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword x 8-bit) | |
HM628512CLFPI-7 | RENESAS |
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Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512- | |
HM628512CLP-5 | HITACHI |
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4 M SRAM (512-kword x 8-bit) | |
HM628512CLP-5SL | HITACHI |
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4 M SRAM (512-kword x 8-bit) | |
HM628512CLP-5SL | RENESAS |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit) | |
HM628512CLP-7 | RENESAS |
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4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit) | |
HM628512CLP-7 | HITACHI |
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4 M SRAM (512-kword x 8-bit) | |
HM628512CLP-7SL | HITACHI |
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4 M SRAM (512-kword x 8-bit) | |
HM628512CLP-7SL | RENESAS |
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512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
HM628512CLPI-7 | HITACHI |
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Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |