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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.6 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | 长度： | 41.9 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM628512CLRR-5 | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM628512CLRR-5SL | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM628512CLRR-5SL | RENESAS |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit) |
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| HM628512CLRR-7 | RENESAS |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword ´ 8-bit) |
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| HM628512CLRR-7 | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM628512CLRR-7SL | RENESAS |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32 |
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| HM628512CLRR-7SL | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM628512CLRRI-7 | HITACHI |
获取价格 |
Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| HM628512CLRRI-7 | RENESAS |
获取价格 |
Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512- |
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| HM628512CLTT-5 | HITACHI |
获取价格 |
4 M SRAM (512-kword x 8-bit) |
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