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HM5112805FTD-6

更新时间: 2024-01-04 08:31:56
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日立 - HITACHI 动态存储器
页数 文件大小 规格书
34页 469K
描述
128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh

HM5112805FTD-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.83访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HM5112805FTD-6 数据手册

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HM5112805F-6, HM5113805F-6  
128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit)  
8k refresh/4k refresh  
ADE-203-1050C (Z)  
Rev. 3.0  
Feb. 2, 2000  
Description  
The Hitachi HM5112805F, HM5113805F are 128M-bit dynamic RAMs organized as 16,777,216-word ×  
8-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.  
HM5112805F, HM5113805F offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode.  
They are packaged in 32-pin plastic TSOPII.  
Features  
Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V  
Access time: 60 ns (max)  
Power dissipation  
Active: 720 mW (max) (HM5112805F)  
792 mW (max) (HM5113805F)  
Standby : 3.6 mW (max) (CMOS interface)  
: 1.8 mW (max) (CMOS interface) (L-version)  
EDO page mode capability  
Refresh cycles  
RAS-only refresh  
8192 cycles/64 ms (HM5112805F)  
4096 cycles/64 ms (HM5113805F)  
CBR/Hidden refresh  
4096 cycles/64 ms (HM5112805F, HM5113805F)  

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