Datasheet > 存储 > DRAM> HM5113165FTD-6

HM5113165FTD-6

更新时间： 2024-01-24 03:29:56

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
27页	248K
描述
128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HM5113165FTD-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.64	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HM5113165FTD-6 数据手册

HM5113165FTD-6

128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit)

4k refresh

E0177H10 (Ver. 1.0)

Jul. 5, 2001

Description

The HM5113165F is 128M-bit dynamic RAM organized as 8,388,608-word × 16-bit. It has realized high

performance and low power by employing CMOS process technology. HM5113165F offers Extended Data

Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. It is packaged in 50-pin plastic TSOPII.

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V

Access time: 60 ns (max)

Power dissipation

⎯ Active: 828 mW (max)

⎯ Standby : 3.6 mW (max) (CMOS interface)

EDO page mode capability

Refresh cycles

•

⎯ RAS-only refresh

4096 cycles/64 ms

⎯ CBR/Hidden refresh

4096 cycles/64 ms

•

4 variations of refresh

⎯ RAS-only refresh

⎯ CAS-before-RAS refresh

⎯ Hidden refresh

2CAS-byte control

Ordering Information

Type No.

Access time

Package

HM5113165FTD-6

60 ns

400-mil 50-pin plastic TSOP II (TTP-50DE)

This product became EOL in December, 2006.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...27

中文翻译

下载PDF

与HM5113165FTD-6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HM5113165LTD-6	ELPIDA	获取价格	128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh
HM5113805F-6	HITACHI	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5113805FLTD-6	ELPIDA	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit) 8k refresh/4
HM5113805FLTD-6	HITACHI	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5113805FTD-5	ELPIDA	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit) 8k refresh/4
HM5113805FTD-6	HITACHI	获取价格	128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5113805LTD-6	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HM5113805TD-5	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HM5113805TD-6	ETC	获取价格	x8 EDO Page Mode DRAM
HM51-150JLF	TTELEC	获取价格	Axially Leaded Miniature Power Inductors

与HM5113165FTD-6相关文章

FT232RL资料解读：引脚说明、参数详情、产品特性
2024-06-25

1
RC0402FR-07100KL资料解读：电气参数、产品特性
2024-06-25

1
RC0603FR-070R数据手册解读：特性、应用与替换型号推荐
2024-06-25

1
ULC1001数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
2024-06-24

6

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM5113165FTD-6

HM5113165FTD-6 技术参数

HM5113165FTD-6 数据手册

与HM5113165FTD-6相关器件

与HM5113165FTD-6相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HM5113165FTD-6

HM5113165FTD-6 技术参数

HM5113165FTD-6 数据手册

与HM5113165FTD-6相关器件

与HM5113165FTD-6相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？