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HM5113805TD-6

更新时间: 2024-02-21 08:54:59
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
34页 1250K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

HM5113805TD-6 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.83Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HM5113805TD-6 数据手册

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