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HM5116100BTS-6

更新时间: 2024-01-14 11:14:12
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 496K
描述
Fast Page DRAM, 16MX1, 60ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, TSOP2-26/24

HM5116100BTS-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:26
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.83
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G24长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

HM5116100BTS-6 数据手册

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