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HM5113805FTD-5

更新时间： 2024-01-27 01:09:07

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尔必达 - ELPIDA		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
31页	264K
描述
128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit) 8k refresh/4k refresh

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HM5113805FTD-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP32,.46
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.95 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP32,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm

HM5113805FTD-5 数据手册

HM5112805FTD-5,

HM5113805FTD-5

128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit)

8k refresh/4k refresh

E0174H10 (Ver. 1.0)

(Previous ADE-203-1052B (Z))

Jul. 16, 2001

Description

The HM5112805F Series, HM5113805F Series are 128M-bit dynamic RAMsorganized as 16,777,216-word

× 8-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.

HM5112805F Series, HM5113805F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed

access mode. They are packaged in 32-pin plastic TSOPII.

Features

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.15 V

Access time: 50 ns (max)

Power dissipation

⎯ Active: 759 mW (max) (HM5112805F Series)

897 mW (max) (HM5113805F Series)

⎯ Standby : 3.5 mW (max) (CMOS interface)

EDO page mode capability

•

Refresh cycles

⎯ RAS-only refresh

8192 cycles/64 ms (HM5112805F)

4096 cycles/64 ms (HM5113805F)

⎯ CBR/Hidden refresh

4096 cycles/64 ms (HM5112805F, HM5113805F)

3 variations of refresh

•

⎯ RAS-only refresh

⎯ CAS-before-RAS refresh

⎯ Hidden refresh

This product became EOL in December, 2006.

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

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