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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP32,.46 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.83 | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 60 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20.95 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP32,.46 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.0005 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM5112805TD-5 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
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| HM5112805TD-5/HM5113805TD-5 | ETC |
获取价格 |
128M EDO DRAM (16-Mword X 8-Bit) 8K Refresh/4K Refre |
|
| HM5112805TD-6 | ETC |
获取价格 |
x8 EDO Page Mode DRAM |
|
| HM5113165FLTD-6 | ELPIDA |
获取价格 |
128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
|
| HM5113165FTD-6 | ELPIDA |
获取价格 |
128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
|
| HM5113165LTD-6 | ELPIDA |
获取价格 |
128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
|
| HM5113805F-6 | HITACHI |
获取价格 |
128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
|
| HM5113805FLTD-6 | ELPIDA |
获取价格 |
128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit) 8k refresh/4 |
|
| HM5113805FLTD-6 | HITACHI |
获取价格 |
128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
|
| HM5113805FTD-5 | ELPIDA |
获取价格 |
128M EDO DRAM (16-Mword × 8-bit) 8k refresh/4 |
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