生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 85 ns |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T24 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 2 V | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM1-6516-9 | INTERSIL |
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2K x 8 CMOS RAM | |
HM1-6516B/883 | INTERSIL |
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2K x 8 CMOS RAM | |
HM1-6516B-8 | RENESAS |
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IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC | |
HM1-6516B-9 | INTERSIL |
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2K x 8 CMOS RAM | |
HM1-6518/883 | INTERSIL |
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1024 x 1 CMOS RAM | |
HM1-6518-8 | RENESAS |
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Standard SRAM, 1KX1, 250ns, CMOS, CDIP18 | |
HM1-6518883 | INTERSIL |
获取价格 |
1024 x 1 CMOS RAM | |
HM1-65231-2 | TEMIC |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP48, | |
HM1-65231-8 | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP48, | |
HM1-65231-9 | TEMIC |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDIP48, |