是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.8 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 85 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.0002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM1-65162C-2/883:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 | |
HM1-65162C-2:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, | |
HM1-65162C-5 | TEMIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDIP24, | |
HM1-65162C-5+ | TEMIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDIP24, | |
HM1-65162C-8 | ETC |
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x8 SRAM | |
HM1-65162C-9 | INTERSIL |
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2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM | |
HM1-65162C-9 | TEMIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 | |
HM1-65162C-9:D | TEMIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, | |
HM1-65162C-9+ | ETC |
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x8 SRAM | |
HM1-65162C-A | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24 |