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HLX6256XQR

更新时间： 2024-11-01 03:42:11

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霍尼韦尔 - HONEYWELL		/
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12页	153K
描述
32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI

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HLX6256XQR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDFP-F36	JESD-609代码：	e0
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	36
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL36,.6,25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.0003 A
最小待机电流：	1.65 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.003 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
总剂量：	100k Rad(Si) V

HLX6256XQR 数据手册

Military & Space Products

32K x 8 STATIC RAM—Low Power SOI

HLX6256

FEATURES

RADIATION

OTHER

• Fabricated with RICMOS^™IV Silicon on Insulator (SOI)

0.55 µm Low Power Process

• Read/Write Cycle Times

≤ 17 ns (Typical)

≤ 25 ns (-55 to 125°C)

• Total Dose Hardness through 1x10⁶rad(SiO₂)

• Neutron Hardness through 1x10¹⁴cm^-2

• Typical Operating Power <10 mW/MHz

• Asynchronous Operation

• Dynamic and Static Transient Upset Hardness

through 1x10⁹rad(Si)/s

• JEDEC Standard Low Voltage

CMOS Compatible I/O

• Dose Rate Survivability through 1x10¹¹rad(Si)/s

• Soft Error Rate of <1x10^-10upsets/bit-day

• Latchup Free

• Single 3.3 V 0.3V Power Supply

• Packaging Options

- 28-Lead Flat Pack (0.500 in. x 0.720 in.)

- 28-Lead DIP, MIL-STD-1835, CDIP2-T28

- 36-Lead Flat Pack (0.630 in. x 0.650 in.)

- Various Multi-Chip Module (MCM) Configurations

GENERAL DESCRIPTION

The 32K x 8 Radiation Hardened Static RAM is a high

performance 32,768 word x 8-bit static random access

memory with industry-standard functionality. It is fabri-

cated with Honeywell’s radiation hardened technology,

and is designed for use in low voltage systems operating in

radiation environments. The RAM operates over the full

military temperature range and requires only a single 3.3 V

0.3V power supply. The RAM is compatible with JEDEC

standard low voltage CMOS I/O. Power consumption is

typically less than 10 mW/MHz in operation, and less than

2 mW when de-selected. The RAM read operation is fully

asynchronous,withanassociatedtypicalaccesstimeof14

ns at 3.3 V.

Honeywell’senhancedSOIRICMOS^™IV(RadiationInsen-

sitiveCMOS)technologyisradiationhardenedthroughthe

use of advanced and proprietary design, layout and pro-

cess hardening techniques. The RICMOS^™IV low power

process is a SIMOX CMOS technology with a 150 Å gate

oxideandaminimumdrawnfeaturesizeof0.7µm(0.55µm

effective gate length—L_eff). Additional features include

tungsten via plugs, Honeywell’s proprietary SHARP pla-

narization process and a lightly doped drain (LDD) struc-

ture for improved short channel reliability. A 7 transistor

(7T) memory cell is used for superior single event upset

hardening, while three layer metal power bussing and the

low collection volume SIMOX substrate provide improved

dose rate hardening.

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