Datasheet > 存储 > SRAM> HLX6256NSF

HLX6256NSF

更新时间： 2024-11-01 03:42:11

品牌	Logo	应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL		/
页数	文件大小	规格书
12页	153K
描述
32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HLX6256NSF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	DFP, FL28,.5	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	最长访问时间：	25 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDFP-F28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL28,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535V;38534K;883S
最大待机电流：	0.0003 A	最小待机电流：	1.65 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.003 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	300k Rad(Si) V
Base Number Matches：	1

HLX6256NSF 数据手册

Military & Space Products

32K x 8 STATIC RAM—Low Power SOI

HLX6256

FEATURES

RADIATION

OTHER

• Fabricated with RICMOS^™IV Silicon on Insulator (SOI)

0.55 µm Low Power Process

• Read/Write Cycle Times

≤ 17 ns (Typical)

≤ 25 ns (-55 to 125°C)

• Total Dose Hardness through 1x10⁶rad(SiO₂)

• Neutron Hardness through 1x10¹⁴cm^-2

• Typical Operating Power <10 mW/MHz

• Asynchronous Operation

• Dynamic and Static Transient Upset Hardness

through 1x10⁹rad(Si)/s

• JEDEC Standard Low Voltage

CMOS Compatible I/O

• Dose Rate Survivability through 1x10¹¹rad(Si)/s

• Soft Error Rate of <1x10^-10upsets/bit-day

• Latchup Free

• Single 3.3 V 0.3V Power Supply

• Packaging Options

- 28-Lead Flat Pack (0.500 in. x 0.720 in.)

- 28-Lead DIP, MIL-STD-1835, CDIP2-T28

- 36-Lead Flat Pack (0.630 in. x 0.650 in.)

- Various Multi-Chip Module (MCM) Configurations

GENERAL DESCRIPTION

The 32K x 8 Radiation Hardened Static RAM is a high

performance 32,768 word x 8-bit static random access

memory with industry-standard functionality. It is fabri-

cated with Honeywell’s radiation hardened technology,

and is designed for use in low voltage systems operating in

radiation environments. The RAM operates over the full

military temperature range and requires only a single 3.3 V

0.3V power supply. The RAM is compatible with JEDEC

standard low voltage CMOS I/O. Power consumption is

typically less than 10 mW/MHz in operation, and less than

2 mW when de-selected. The RAM read operation is fully

asynchronous,withanassociatedtypicalaccesstimeof14

ns at 3.3 V.

Honeywell’senhancedSOIRICMOS^™IV(RadiationInsen-

sitiveCMOS)technologyisradiationhardenedthroughthe

use of advanced and proprietary design, layout and pro-

cess hardening techniques. The RICMOS^™IV low power

process is a SIMOX CMOS technology with a 150 Å gate

oxideandaminimumdrawnfeaturesizeof0.7µm(0.55µm

effective gate length—L_eff). Additional features include

tungsten via plugs, Honeywell’s proprietary SHARP pla-

narization process and a lightly doped drain (LDD) struc-

ture for improved short channel reliability. A 7 transistor

(7T) memory cell is used for superior single event upset

hardening, while three layer metal power bussing and the

low collection volume SIMOX substrate provide improved

dose rate hardening.

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与HLX6256NSF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HLX6256NSH	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256NSN	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256NSR	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256NVF	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256NVH	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256NVN	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256NVR	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256-QF	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256-QH	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI
HLX6256-QN	HONEYWELL	获取价格	32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI

与HLX6256NSF相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HLX6256NSF

HLX6256NSF 技术参数

HLX6256NSF 数据手册

与HLX6256NSF相关器件

与HLX6256NSF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HLX6256NSF

HLX6256NSF 技术参数

HLX6256NSF 数据手册

与HLX6256NSF相关器件

与HLX6256NSF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？