是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, FL28,.5 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.43 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.288 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL28,.5 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535V;38534K;883S | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大待机电流: | 0.0003 A | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 总剂量: | 1M Rad(Si) V |
宽度: | 12.7 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HLX6256NSN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256NSR | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256NVF | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256NVH | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256NVN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256NVR | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256-QF | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256-QH | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256-QN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256-QR | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI |