是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最大待机电流: | 0.0003 A |
最小待机电流: | 1.65 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.003 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
总剂量: | 300k Rad(Si) V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HLX6256RBH | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RBN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RBR | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256REF | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256REH | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256REN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RER | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RQF | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RQH | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RQN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI |