是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, FL28,.5 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.43 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDFP-F28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.288 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL28,.5 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535V;38534K;883S |
座面最大高度: | 3.048 mm | 最大待机电流: | 0.0003 A |
最小待机电流: | 1.65 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
总剂量: | 1M Rad(Si) V | 宽度: | 12.7 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HLX6256NVN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256NVR | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256-QF | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256-QH | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256-QN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256-QR | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RBF | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RBH | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RBN | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI | |
HLX6256RBR | HONEYWELL |
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32K x 8 STATIC RAM Low Power SOI |