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HEF4011BT

更新时间: 2024-11-05 11:16:15
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 969K
描述
Quad 2-input NAND gateProduction

HEF4011BT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP,Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:1.65
系列:4000/14000/40000JESD-30 代码:R-PDSO-G14
JESD-609代码:e4长度:8.65 mm
逻辑集成电路类型:NAND GATE湿度敏感等级:1
功能数量:4输入次数:2
端子数量:14最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
传播延迟(tpd):110 ns座面最大高度:1.75 mm
最大供电电压 (Vsup):15 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

HEF4011BT 数据手册

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HEF4011B  
Quad 2-input NAND gate  
Rev. 6 — 10 December 2015  
Product data sheet  
1. General description  
The HEF4011B is a quad 2-input NAND gate. The outputs are fully buffered for the  
highest noise immunity and pattern insensitivity to output impedance.  
It operates over a recommended VDD power supply range of 3 V to 15 V referenced to VSS  
(usually ground). Unused inputs must be connected to VDD, VSS, or another input.  
2. Features and benefits  
Fully static operation  
5 V, 10 V, and 15 V parametric ratings  
Standardized symmetrical output characteristics  
Specified from 40 C to +125 C  
Complies with JEDEC standard JESD 13-B  
Inputs and outputs are protected against electrostatic effects  
3. Ordering information  
Table 1.  
Ordering information  
All types operate from 40 C to +125 C  
Type number Package  
Name  
Description  
Version  
HEF4011BT  
SO14  
plastic small outline package; 14 leads; body width 3.9 mm  
SOT108-1  
4. Functional diagram  
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Fig 1. Functional diagram  
Fig 2. Logic diagram (one gate)  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HCF4011M013TR STMICROELECTRONICS

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