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HCF4011M013TR

更新时间： 2024-11-04 04:56:47
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 输入元件
页数 文件大小 规格书
7页 171K
描述
QUAD 2 INPUT NAND GATE

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HCF4011M013TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：7.98系列：4000/14000/40000
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e4
长度：8.65 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：NAND GATE湿度敏感等级：1
功能数量：4输入次数：2
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5/15 VProp。Delay @ Nom-Sup：250 ns
传播延迟（tpd）：250 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.75 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：20 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

HCF4011M013TR 数据手册

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HCF4011B  
QUAD 2 INPUT NAND GATE  
■
PROPAGATION DELAY TIME  
= 60ns (Typ.) at V = 10V  
t
PD  
DD  
■
■
BUFFERED INPUTS AND OUTPUTS  
STANDARDIZED SYMMETRICAL OUTPUT  
CHARACTERISTICS  
■
QUIESCENT CURRENT SPECIFIED UP TO  
20V  
DIP  
SOP  
■
■
5V, 10V AND 15V PARAMETRIC RATINGS  
INPUT LEAKAGE CURRENT  
I = 100nA (MAX) AT V = 18V T = 25°C  
ORDER CODES  
PACKAGE  
I
DD  
A
■
■
100% TESTED FOR QUIESCENT CURRENT  
MEETS ALL REQUIREMENTS OF JEDEC  
JESD13B " STANDARD SPECIFICATIONS  
FOR DESCRIPTION OF B SERIES CMOS  
DEVICES"  
TUBE  
T & R  
DIP  
HCF4011BEY  
HCF4011BM1  
SOP  
HCF4011M013TR  
DESCRIPTION  
implementation of the NAND function and  
supplement the existing family of CMOS gates. All  
inputs and outputs are buffered.  
The HCF4011B is a monolithic integrated circuit  
fabricated in Metal Oxide Semiconductor  
technology available in DIP and SOP packages.  
The HCF4011B QUAD 2 INPUT NAND GATE  
provides the system designer with direct  
PIN CONNECTION  
September 2001  
1/7  
1234567

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