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HCF4011M013TR

更新时间: 2024-01-19 08:42:52
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 输入元件
页数 文件大小 规格书
7页 171K
描述
QUAD 2 INPUT NAND GATE

HCF4011M013TR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP14,.25针数:14
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:7.98系列:4000/14000/40000
JESD-30 代码:R-PDSO-G14JESD-609代码:e4
长度:8.65 mm负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:NAND GATE湿度敏感等级:1
功能数量:4输入次数:2
端子数量:14最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP14,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
包装方法:TAPE AND REEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5/15 VProp。Delay @ Nom-Sup:250 ns
传播延迟(tpd):250 ns认证状态:Not Qualified
施密特触发器:NO座面最大高度:1.75 mm
子类别:Gates最大供电电压 (Vsup):20 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

HCF4011M013TR 数据手册

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HCF4011B  
QUAD 2 INPUT NAND GATE  
PROPAGATION DELAY TIME  
= 60ns (Typ.) at V = 10V  
t
PD  
DD  
BUFFERED INPUTS AND OUTPUTS  
STANDARDIZED SYMMETRICAL OUTPUT  
CHARACTERISTICS  
QUIESCENT CURRENT SPECIFIED UP TO  
20V  
DIP  
SOP  
5V, 10V AND 15V PARAMETRIC RATINGS  
INPUT LEAKAGE CURRENT  
I = 100nA (MAX) AT V = 18V T = 25°C  
ORDER CODES  
PACKAGE  
I
DD  
A
100% TESTED FOR QUIESCENT CURRENT  
MEETS ALL REQUIREMENTS OF JEDEC  
JESD13B " STANDARD SPECIFICATIONS  
FOR DESCRIPTION OF B SERIES CMOS  
DEVICES"  
TUBE  
T & R  
DIP  
HCF4011BEY  
HCF4011BM1  
SOP  
HCF4011M013TR  
DESCRIPTION  
implementation of the NAND function and  
supplement the existing family of CMOS gates. All  
inputs and outputs are buffered.  
The HCF4011B is a monolithic integrated circuit  
fabricated in Metal Oxide Semiconductor  
technology available in DIP and SOP packages.  
The HCF4011B QUAD 2 INPUT NAND GATE  
provides the system designer with direct  
PIN CONNECTION  
September 2001  
1/7  

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