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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | , | 针数： | 168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 80 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 组织： | 2MX64 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HB56U272E-5 | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U272E-6 | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U272E-6B | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX72, 60ns, MOS |
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| HB56U272E-7 | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U272E-7B | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 2MX72, 70ns, MOS |
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| HB56U432B-5N | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432B-5NL | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U432B-6BN | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U432B-6N | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U432B-6NL | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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