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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | SIMM, SSIM72 | 针数： | 72 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 50 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XSMA-N72 | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 72 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | SIMM |
| 封装等效代码： | SSIM72 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 2048 |
| 座面最大高度： | 25.4 mm | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.0012 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.8 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HB56U432B-6BN | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432B-6N | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432B-6NL | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432B-7BN | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432B-7N | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432B-7NL | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432B-8BN | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432SB-5N | ETC |
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x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432SB-5NL | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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| HB56U432SB-6BN | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, MOS, SIMM-72 |
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