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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM168 | 针数： | 168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 60 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 64 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 168 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM168 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 25.4 mm |
| 最大待机电流： | 0.08 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.664 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HB56U464EJ-7 | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U464EJ-7B | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U472E-5 | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U472E-6 | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U472E-6B | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U472E-7 | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U472E-7B | ETC |
获取价格 |
x72 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U472E-8B | HITACHI |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 4MX72, 80ns, MOS, DIMM-168 |
|
| HB56U832B-5N | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| HB56U832B-5NL | ETC |
获取价格 |
x32 EDO Page Mode DRAM Module |
|
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