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HB56U272E-7B

更新时间： 2024-01-08 06:00:08

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	256K
描述
EDO DRAM Module, 2MX72, 70ns, MOS

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HB56U272E-7B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	150994944 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HB56U272E-7B 数据手册

HB56U272E-6B/7B/8B

2,097,152-Word × 72-Bit High Density Dynamic RAM Module

168-pin JEDEC Standard Outline Buffered 8BYTE DIMM

Rev.0.0

Feb.02,1996

Description

The HB56U272E belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been developed

as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications. The HB56U272E is a 2M x

72 dynamic RAM module, mounted 9 pieces of 16-Mbit DRAM (HM5117805BTT) sealed in TSOP

package and 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver (74ABT16244) sealed in TSOP package. The

HB56U272E offers Extended Data Out(EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the

HB56U272E is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56U272E makes high

density mounting possible without surface mount technology. The HB56U272E provides common data

inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)

Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 5 V (±5%) supply

High speed

Access time:tRAC = 60/70/80 ns(max.)

Access time:tCAC = 20/23/25 ns(max.)

Low power dissipation

•

Active mode: 6.01/5.53/5.06 W (max.)

Standby mode(TTL): 431 mW(max.)

Buffered input except /RAS and DQ

4 byte interleave enabled, dual address input (AO/BO)

EDO page mode capability

•

2,048 refresh cycle/32 ms

2 variations of refresh

/RAS - only refresh

/CAS - before -/RAS refresh

TTL compatible

•

Preliminary : This document contains information on a new product. Specifications and information contained herein

aresubject to change without no tice.

12 3 4 5 6 7...29

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HB56U432B-7BN	ETC	获取价格	x32 EDO Page Mode DRAM Module
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