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HB52D48GB-B6F

更新时间: 2024-02-15 21:38:02
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器PC时钟
页数 文件大小 规格书
23页 139K
描述
32 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 4-Mword × 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 4 M × 16 components) PC100 SDRAM

HB52D48GB-B6F 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM144,20针数:144
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N144长度:42 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:65 °C
最低工作温度:组织:4MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM144,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:30 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.004 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.44 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:3.8 mm
Base Number Matches:1

HB52D48GB-B6F 数据手册

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HB52D48GB-F  
Programmable CE latency : 2/3 (HB52D48GB-A6F/A6FL)  
3 (HB52D48GB-B6F/B6FL)  
:
Byte control by DQMB  
Refresh cycles: 4096 refresh cycles/64 ms  
2 variations of refresh  
Auto refresh  
Self refresh  
Low self refresh current: HB52D48GB-A6FL/B6FL (L-version)  
Full page burst length capability  
Sequential burst  
Burst stop capability  
Ordering Information  
Type No.  
Frequency  
CE latency Package  
Contact pad  
HB52D48GB-A6F  
HB52D48GB-B6F  
HB52D48GB-A6FL  
HB52D48GB-B6FL  
100 MHz  
100 MHz  
100 MHz  
100 MHz  
2/3  
3
2/3  
3
Micro DIMM (144-pin)  
Gold  
Pin Arrangement  
Front Side  
1pin  
2pin  
143pin  
144pin  
Back Side  
Data Sheet E0011H10  
2

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