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HB52E168EN-A6D

更新时间： 2024-01-22 12:55:40

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
82页	964K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

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HB52E168EN-A6D 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	16MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.032 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.36 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HB52E168EN-A6D 数据手册

HB52E88EM-D, HB52E89EM-D,

HB52E168EN-D, HB52E169EN-D

64 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus

(HB52E88EM) 8-Mword × 64-bit, 1-Bank Module

(8 pcs of 8 M × 8 Components)

(HB52E89EM) 8-Mword × 72-bit, 1-Bank Module

(9 pcs of 8 M × 8 Components)

128 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus

(HB52E168EN) 16-Mword × 64-bit, 2-Bank Module

(16 pcs of 8 M × 8 Components)

(HB52E169EN) 16-Mword × 72-bit, 2-Bank Module

(18 pcs of 8 M × 8 Components)

PC100 SDRAM

ADE-203-959 (Z)

Preliminary

Rev. 0.0

Sep. 10, 1998

Description

The HB52E88EM, HB52E89EM, HB52E168EN, HB52E169EN belong to 8-byte DIMM (Dual In-line

Memory Module) family, and have been developed as an optimized main memory solution for 8-byte

processor applications. They are synchronous Dynamic RAM Module, mounted 64-Mbit SDRAMs

(HM5264805DTT) sealed in TSOP package, and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for

Presence Detect (PD). The HB52E88EM is organized 8M × 64 × 1-bank mounted 8 pieces of 64-Mbit

SDRAM. The HB52E89EM is organized 8M × 72 × 1-bank mounted 9 pieces of 64-Mbit SDRAM. The

HB52E168EN is organized 8M × 64 × 2-bank mounted 16 pieces of 64-Mbit SDRAM. The HB52E169EN

is organized 8M × 72 × 2-bank mounted 18 pieces of 64-Mbit SDRAM. An outline of the products is 168-

pin socket type package (dual lead out). Therefore, they make high density mounting possible without

surface mount technology. They provide common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are

mounted beside each TSOP on the module board.

Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your nearest

Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

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与HB52E168EN-A6D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HB52E168EN-A6F	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168	获取价格
HB52E168EN-B6	ETC	x64 SDRAM Module	获取价格
HB52E168EN-B6D	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168	获取价格
HB52E168EN-B6F	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168	获取价格
HB52E169E12-B6D	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX4, 6.9ns, CMOS, DIMM-168	获取价格
HB52E169E12-B6F	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6.9ns, CMOS, DIMM-168	获取价格

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