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HB52E169EN-A6F

更新时间： 2024-02-25 09:30:00

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
81页	927K
描述
Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168

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HB52E169EN-A6F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	1207959552 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	16MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.036 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.215 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HB52E169EN-A6F 数据手册

HB52E88EM-F, HB52E89EM-F,

HB52E168EN-F, HB52E169EN-F

64 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus

(HB52E88EM) 8-Mword × 64-bit, 1-Bank Module

(8 pcs of 8 M × 8 Components)

(HB52E89EM) 8-Mword × 72-bit, 1-Bank Module

(9 pcs of 8 M × 8 Components)

128 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus

(HB52E168EN) 16-Mword × 64-bit, 2-Bank Module

(16 pcs of 8 M × 8 Components)

(HB52E169EN) 16-Mword × 72-bit, 2-Bank Module

(18 pcs of 8 M × 8 Components)

PC100 SDRAM

ADE-203-1054B (Z)

Rev.1.0

Mar. 15, 2000

Description

The HB52E88EM, HB52E89EM, HB52E168EN, HB52E169EN belong to 8-byte DIMM (Dual In-line

Memory Module) family, and have been developed as an optimized main memory solution for 8-byte

processor applications. They are synchronous Dynamic RAM Module, mounted 64-Mbit SDRAMs

(HM5264805FTT) sealed in TSOP package, and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for

Presence Detect (PD). The HB52E88EM is organized 8M × 64 × 1-bank mounted 8 pieces of 64-Mbit

SDRAM. The HB52E89EM is organized 8M × 72 × 1-bank mounted 9 pieces of 64-Mbit SDRAM. The

HB52E168EN is organized 8M × 64 × 2-bank mounted 16 pieces of 64-Mbit SDRAM. The HB52E169EN

is organized 8M × 72 × 2-bank mounted 18 pieces of 64-Mbit SDRAM. An outline of the products is 168-

pin socket type package (dual lead out). Therefore, they make high density mounting possible without

surface mount technology. They provide common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are

mounted beside each TSOP on the module board.

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与HB52E169EN-A6F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HB52E169EN-B6	ETC	x72 SDRAM Module	获取价格
HB52E169EN-B6F	HITACHI	Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168	获取价格
HB52E328EM-A6B	ELPIDA	256MB Unbuffered SDRAM DIMM	获取价格
HB52E328EM-B6B	ELPIDA	256MB Unbuffered SDRAM DIMM	获取价格
HB52E329EM-A6B	ELPIDA	256MB Unbuffered SDRAM DIMM	获取价格
HB52E329EM-B6B	ELPIDA	256MB Unbuffered SDRAM DIMM	获取价格

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